镁光DDR4内存条参数解析

镁光在DDR4时代推出了镁光英睿达系列内存条，本次以英睿达ddr4 8g 2666普条进行参数解析。

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镁光DDR4内存条参数解析

基本信息

内存2019年11周生产，颗粒为D9VPP，2019年第9周生产，台风软件显示为E die，16nm工艺，工艺台风软件显示应该有问题，我在网上查到的信息镁光E die为19nm工艺。由于镁光对于颗粒命名比较特殊，我们很难直观了解。

内存超频性能

默认参数 19-19-19-43 1.2V 2666：英睿达给的默认时序很高，感觉没有多少压榨空间。首先用aida64测了一下读写性能和延迟，确实很差。双通道读 37 G/s，写 39 G/s，复制 33 G/s，延迟接近100 ns。

超频 16-19-19-36 1.2V 3200：1.2V内存电压居然一次就开机了。尝试16-19-19-36 1.2V，电脑成功启动，读写性能和延迟有了一些提高。但是和其他内存3200相同时序比差距很小，并且电压只有1.2v。

18-19-19-43 1.25V 3466：这套内存最高只能3466开机，并完成简单测试，但是无法通过稳定性测试，aida64单拷内存基本5分钟左右就红了，memtest测试也很快就报错。

总的来说，240左右的价格在一个月之前应该还是很香的，毕竟超频和海力士的afr差不多，虽然时序较高造成读写性能差，但是电压低，散热压力小。