镁光DDR4内存条参数解析

作者:雪风 2022-05-19 09:16 七叶子游戏
     

镁光在DDR4时代推出了镁光英睿达系列内存条,本次以英睿达ddr4 8g 2666普条进行参数解析。

【ddr5使用教程攻略】

镁光DDR4内存条参数解析

基本信息

内存2019年11周生产,颗粒为D9VPP,2019年第9周生产,台风软件显示为E die,16nm工艺,工艺台风软件显示应该有问题,我在网上查到的信息镁光E die为19nm工艺。由于镁光对于颗粒命名比较特殊,我们很难直观了解。

内存超频性能

默认参数 19-19-19-43 1.2V 2666:英睿达给的默认时序很高,感觉没有多少压榨空间。首先用aida64测了一下读写性能和延迟,确实很差。双通道读 37 G/s,写 39 G/s,复制 33 G/s,延迟接近100 ns。

超频 16-19-19-36 1.2V 3200:1.2V内存电压居然一次就开机了。尝试16-19-19-36 1.2V,电脑成功启动,读写性能和延迟有了一些提高。但是和其他内存3200相同时序比差距很小,并且电压只有1.2v。

18-19-19-43 1.25V 3466:这套内存最高只能3466开机,并完成简单测试,但是无法通过稳定性测试,aida64单拷内存基本5分钟左右就红了,memtest测试也很快就报错。

总的来说,240左右的价格在一个月之前应该还是很香的,毕竟超频和海力士的afr差不多,虽然时序较高造成读写性能差,但是电压低,散热压力小。

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